Главная \ Магазин \ Микросхемы \ Прочие микросхемы \ GT50JR22

GT50JR22

Артикул: нет
GT50JR22(STA1,E,S), IGBT Discretes, Toshiba, Наличие встроенного диода да, Максимальное напряжение КЭ ,В 600, Максимальный ток КЭ при 25°C
Производитель:Toshiba
160.00 руб.
Купить в один клик

GT50JR22 Силовые IGBT-транзисторы для инверторов сетевого напряжения

GT50JR22 50JR22 TO247 IGBT

Назад

Находится в разделах

Прочие микросхемы